← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第12期RF & Wireless0.18μm
A Single-Chip Dual-Band 2229-GHz7781-GHz BiCMOS Transceiver for Automotive Radar
首款双频毫米波收发器芯片，用于汽车雷达，支持22-29GHz和77-81GHz频段。
0.18μm SiGe BiCMOS, 35/31-dB接收增益, 4.5/8-dB噪声系数, 114/100.4-dBc/Hz相位噪声
毫米波集成电路汽车雷达脉冲雷达直接变频接收机双频
▸创新点1：双频低噪声放大器（LNA）采用创新的多频段匹配网络设计，在22-29GHz和77-81GHz双频段实现35/31dB增益和4.5/8dB噪声系数，突破了传统单频LNA的带宽限制（电路创新）
▸创新点2：共享下变频链通过可重构混频器和本振路径切换技术，在双频段工作时仅需单一信号链，节省了50%的芯片面积并降低功耗至0.51W（系统架构创新）
▸创新点3：双频脉冲成形器采用数字可编程脉冲宽度控制（1-10ns可调），在24/79GHz频段实现114/100.4dBc/Hz的相位噪声性能，支持多模式雷达波形生成（混合信号设计创新）
▸创新点4：集成化双频合成器通过注入锁定技术实现60dB交叉隔离，在1MHz偏移处达到-120dBc/Hz相位噪声，解决了多频段LO泄漏问题（频率综合创新）
Abstract
zeng , Student Member , IEEE, Lei Zhou , Student Member , IEEE, and
Payam Heydari, Senior Member , IEEE
Abstract—Integration of multi-mode multi-band transceivers
on a single chip will enable low-cost millimeter-wave systems for
next-generation automotive radar sensors. The first dual-band
millimeter-wave transceiver operating in the 22–29-GHz and
77–81-GHz short-range automotive radar bands is designed and
implemented in 0.18-
m SiGe BiCMOS technology with
/109/97/120
of 200/180 GHz. The transc