← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第12期mm-Wave65nm
W-Band CMOS Amplifiers Achieving 4310 dBm Saturated Output Power and 75 dB NF Dan
本文介绍了两种W波段CMOS放大器，分别采用传统共面波导和慢波屏蔽波导，展示了慢波屏蔽在高频高性能中的优势。
65nm CMOS, 1.2V, 100GHz, 4310 dBm输出功率, 7.5 dB噪声系数, 13 dB增益
CMOS毫米波集成电路MMIC放大器慢波传输线W波段共面波导
▸创新点1：采用慢波屏蔽波导和被动元件，通过慢波屏蔽技术显著降低了信号传输中的损耗和干扰，提高了放大器在高频（100 GHz）下的性能和稳定性，实测输出功率达到4310 dBm。
▸创新点2：自定义布局槽板电容器结合慢波屏蔽技术，有效降低了寄生串联电阻，提升了电容器的性能和集成度，同时简化了制造工艺，适用于65-nm CMOS技术。
▸创新点3：通过优化设计和慢波屏蔽技术，实现了极低的衬底损耗（minimal substrate losses），使得模型更加准确，进一步提升了放大器的噪声系数（7.5 dB）和增益（13 dB）。
▸创新点4：在65-nm CMOS技术中实现了高频率（W-band）和高性能的放大器设计，总直流电流消耗仅为70 mA，电源电压1.2 V，芯片面积仅为0.33 mm²，展示了其在毫米波应用中的高效性和紧凑性。
Abstract
n, and Kari A. I. Halonen , Member , IEEE
Abstract—We present two W-band amplifiers, one implemented
using conventional coplanar waveguides and unshielded passives
and the other using slow-wave shielded waveguides and passives,
realized in a 65-nm baseline CMOS technology. The measured
results suggest that the slow-wave shielding of the passives is useful
in achieving high performance and high frequency of operation.
Our custom layout slotted plate capacitor employing slow-wave
shield has low par