JSSC 2010第3期Wireline I/O65nmEqualizerESD

An 80 mW 40 Gbs 7-Tap T2-Spaced Feed-Forward Equalizer in 65 nm CMOS Afshin Momt

65nm CMOS工艺下实现的7抽头40Gb/s前馈均衡器，功耗80mW。

65nm CMOS, 1V, 40Gb/s, 80mW

CMOS模拟集成电路电流模式逻辑前馈均衡器宽带通信均衡器

▸宽带化和校准技术：采用多种宽带化和校准技术，实现了在65 nm CMOS工艺下的40 Gb/s高速操作，同时功耗仅为80 mW。这些技术显著提升了频率响应稳定性，测量显示在高达20 GHz的频率下，tap延迟频率响应变化小于1 dB，tap-to-tap延迟变化小于0.3 ps。

▸40Gb/s I/O的ESD保护：在高速40 Gb/s输入输出接口中集成了ESD保护电路，确保了芯片在高速数据传输中的可靠性和鲁棒性，同时不影响信号完整性。这一创新使得芯片更适用于实际商业应用环境。

▸低成本塑料封装：采用经济型塑料封装技术，降低了整体制造成本，同时保持了高性能。这一创新使芯片更接近商业化产品，为大规模生产提供了可行性。

▸高性能均衡器设计：通过7-tap T2间距前馈均衡器（FFE）设计，实现了对闭合输入眼图超过50%垂直和70%水平眼图开口的改善。这一系统创新显著提升了信号完整性，适用于高速光通信系统。

Abstract

, IEEE Abstract—A 7-tap 40 Gb/s FFE using a 65 nm standard CMOS process is described. A number of broadbanding and calibration techniques are used, which allow high-speed operation while con- suming 80 mW from a 1 V supply. ESD protection is added to 40 Gb/s IOs and an inexpensive plastic package is used to make the chip closer to a commercial product. The measured tap delay frequency response variation is less than 1 dB up to 20 GHz and tap-to-tap delay variation is less than 0.3 ps. More than