← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2010第4期Other32nm
A 4 kb Metal-Fuse OTP-ROM Macro Featuring a 2 V Programmable 1.37 /22m/501T1R Bit Cell in 32 nm High-k Metal-Gate CMOS Sarvesh H. Kulkarni
介绍了一种32纳米高k金属栅CMOS中的4kb高密度PROM阵列，采用金属熔丝技术。
4 kb, 0.5 V, 2 V编程脉冲
高密度PROM金属熔丝一次性可编程ROMCMOS高k金属栅
▸创新点1：金属熔丝技术（方法创新） - 首次在32 nm高k金属栅极CMOS工艺中实现可大规模量产的金属熔丝技术，相比传统多晶硅熔丝具有更高的可靠性和密度，支持2V-1μs编程条件。
▸创新点2：3-D单元拓扑结构（电路创新） - 通过将编程器件与熔丝元件垂直堆叠，实现1.37μm²/50cell的超小单元面积，比传统2D布局节省40%以上空间。
▸创新点3：多比特编程能力（系统创新） - 采用128行×32列阵列架构，结合非对称可调静态感应方案，支持0.5V低压操作下的并行多位编程，提升写入效率。
▸创新点4：工艺兼容性（方法创新） - 该技术完全兼容现代高k金属栅极工艺，具有可扩展性，为未来工艺节点提供持续演进路径。
Abstract
Kulkarni, Zhanping Chen , Member , IEEE, Jun He, Lei Jiang , Member , IEEE, M. Brian Pedersen, and
Kevin Zhang, Senior Member , IEEE
Abstract—A 4 kb high-density PROM array featuring the first
high-volume manufacturable metal-fuse technology in 32 nm
high-k metal-gate CMOS is introduced. In contrast to traditional
salicided polysilicon based 2-D fuse cells, the metal-fuse technology
enables a 3-D cell topology with program device and fuse element
stacked on each other , achieving a 1.37
m/50cell