← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2010第5期Other130nm
Multi-Level Amplitude Modulation of a 168-GHz Class-E Power Amplifier With Negati
展示了一种130nm CMOS工艺下的16.8GHz E类功率放大器，采用多级调制和负电阻增强技术。
30dB功率增益，16%功率附加效率（PAE），6.8dBm输出功率
E类功率放大器CMOS多级调制负电阻功率增益
▸创新点1：多级振幅调制技术（方法创新） - 该论文提出了一种支持七种振幅级别的多级调制方案，通过优化输出信号电平的平方根关系，实现了400 Mbps的高速数据传输，显著提升了数据传输效率和频谱利用率。
▸创新点2：负电阻增强功率增益（电路创新） - 采用负电阻技术增强Class-E功率放大器的功率增益，在130nm CMOS工艺下实现了30 dB的高功率增益和16%的功率附加效率（PAE），提升了放大器的整体性能。
▸创新点3：高效率功率放大器设计（系统创新） - 通过重新调整最高输出功率电平至10 dBm饱和输出功率，将随机数据模式下的效率提升至Class A功率放大器的2倍，最大PAE达到22%，显著优化了能效比。
▸创新点4：紧凑型电路集成（电路创新） - 整个电路（包括地址解码器）仅占用1.4 mm²面积，展示了高集成度的设计能力，适用于对尺寸敏感的无线互联应用场景。
Abstract
ta
Transmission
Hsin-Ta Wu, Ruonan Han, Wuttichai Lerdsitsomboon, Changhua Cao, and Kenneth K. O
Abstract—Multi-level modulation of a 16.8-GHz class-E power
amplifier with negative resistance enhanced power gain is demon-
strated in a 130-nm CMOS process. The circuit achieves power
gain of
30 dB, and power-added efficiency (PAE) of 16% for the
highest output power level of 6.8 dBm. The average efficiency for
a random data pattern is
8%. The circuit also exhibits 10-dBm
saturated output power and
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