← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2010第9期Other0.13μm
A 013 22m SiGe BiCMOS Technology Featuring f84f10997120of 240330 GHz and Gate De
介绍了一种用于毫米波应用的0.13μm SiGe BiCMOS技术，具有高速HBT和高电压HBT集成。
0.13μm SiGe BiCMOS, 240GHz fT, 330GHz fmax, 1.7V BV
SiGe BiCMOS毫米波HBTRF-CMOS高速晶体管
▸创新点1：采用SiGe BiCMOS技术实现了峰值频率240GHz的高速HBT（异质结双极晶体管），这一性能指标在毫米波应用中具有显著优势，适用于100Gbit/s光通信系统和60GHz无线通信系统。
▸创新点2：通过优化工艺设计，实现了最大振荡频率330GHz的HBT，这一高频性能为毫米波集成电路（如低噪声放大器和LC振荡器）提供了关键支持，特别是在200GHz以上的基模振荡频率中表现出色。
▸创新点3：在双栅极氧化物RF-CMOS工艺中集成了高性能SiGe HBT，这种集成技术不仅提高了晶体管的开关速度（门延迟低至2.9ps），还实现了高密度逻辑与射频功能的协同设计，满足了复杂数字信号处理的需求。
▸创新点4：展示了高电压HBT的突破性性能（1.7V击穿电压），结合低噪声放大器（122GHz）和高速环形振荡器，为毫米波应用提供了全面的解决方案，显著提升了系统的整体性能与可靠性。
Abstract
einemann, Wolfgang Winkler, R. Barth, J. Borngräber, J. Drews, Gerhard G. Fischer,
Alexander Fox, Thomas Grabolla, U. Haak, Dieter Knoll, Falk Korndörfer, Andreas Mai, Steffen Marschmeyer,
P. Schley, D. Schmidt, J. Schmidt, Markus Andreas Schubert, K. Schulz, Bernd Tillack, D. Wolansky, and
Yuji Yamamoto
Abstract—A 0.13
m SiGe BiCMOS technology for mil-
limeter-wave applications is presented. This technology features
high-speed HBTs with peak transit frequencies
of 240 GHz,
maximum oscillation