← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2010第9期RF & Wireless
Introduction to the 31st Annual IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit S
2009年IEEE化合物半导体集成电路研讨会综述，涵盖毫米波电路、GaN可靠性等热点话题。
无
化合物半导体毫米波电路GaNCMOS功率放大器
▸毫米波电路设计进展：论文展示了140 GHz接收器芯片组的设计，采用100 nm InAlAs/InGaAs HEMT技术，包含35 GHz VCO、35–70 GHz频率倍增器、120–150 GHz LNA和次谐波混频器，功耗仅为120 mW。这一系统创新在被动成像应用中具有显著性能优势。
▸GaN可靠性研究：论文讨论了GaN器件在MMIC功率放大器中的可靠性问题，特别是在高功率应用中的热管理挑战。这一方法创新为GaN技术的长期稳定性提供了重要见解。
▸数字控制毫米波电路：论文探讨了具有高数字内容的收发器设计，以及数字可控毫米波构建块（如移相器）的实现。这一电路创新为毫米波系统的灵活控制提供了新方案。
▸SiGe BiCMOS技术应用：Sarkas等人报道了采用0.13μm SiGe BiCMOS技术实现的70–80 GHz收发器，展示了硅基技术在毫米波频段的潜力，这一技术路线创新为低成本毫米波解决方案提供了可能。
Abstract
L OF SOLID-STATE
CIRCUITS covers the 2009 Compound Semiconductor
Integrated Circuit Symposium held in Greensboro, North
Carolina, October 11–14, 2009. For more than thirty years,
the CSIC Symposium (formerly the GaAs IC Symposium)
has been the preeminent forum for developments in integrated
circuits and technologies targeting high-performance, high-fre-
quency analog, wireless, and digital/OEIC applications. The
symposium has historically focused on developments in com-
pound semiconductors such