JSSC 2010第9期RF & Wireless0.13μm SiGe BiCMOSClock Generation

SEPTEMBER 2010 VOLUME 45 NUMBER 9 IJSCBC ISSN 0018-9200 SPECIAL SECTION ON THE 2

IEEE JSSC 2010年9月刊聚焦高频技术与软件定义无线电应用。

fT/fmax 240/330 GHz, 门延迟低于3 ps

SiGe技术频率合成器软件定义无线电X波段BiCMOS

▸创新点1：SiGe技术122GHz接收器采用次谐波混频技术，显著降低高频信号处理复杂度，适用于122GHz传感器应用，展示了SiGe工艺在高频领域的潜力。

▸创新点2：0.6-28GHz频率合成器覆盖多个频段，支持软件定义无线电应用，通过集成设计实现宽频带覆盖和低相位噪声，满足多标准通信需求。

▸创新点3：X波段无变容管正交振荡器采用变压器耦合技术，避免了传统变容管的非线性问题，提高了相位噪声性能和调谐范围，适用于高频通信系统。

▸创新点4：0.13μm SiGe BiCMOS技术实现fT/fmax达240/330 GHz和低于3 ps的门延迟，展示了高性能SiGe工艺在高速混合信号集成电路中的优势。

Abstract

ts and Technology Meeting .... . . . . J.-B. Begueret 1643 A Subharmonic Receiver in SiGe Technology for 122 GHz Sensor Applications ............................................. ....................................... K . S c hmalz, W. Winkler , J. Borngräber , W. Debski, B. Heinemann, and J. C. Scheytt 1644 An Integrated 0.6–4.6 GHz, 5–7 GHz, 10–14 GHz, and 20–28 GHz Frequency Synthesizer for Software-Deﬁned Radio Applications ... ................................ ..............................