← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2010第10期MemoryFlash Memory
Ferroelectric Fe-NAND Flash Memory With Batch Write Algorithm and Smart Data Sto
提出一种采用批量写入算法和非易失性页缓冲器的铁电NAND闪存，以提升企业级SSD的随机写入性能。
页编程时间800μs，垃圾收集时间100ms
铁电NAND闪存批量写入非易失性页缓冲企业级SSD随机写入性能
▸创新点1：批量写入算法（方法创新）——通过引入批量写入算法，Fe-NAND闪存中的页缓冲器暂时存储程序数据，直到累积到页大小后才启动内存单元编程，从而消除数据碎片化，显著提升SSD性能。
▸创新点2：非易失性页缓冲器（电路创新）——采用非易失性页缓冲器，确保在断电情况下数据不丢失，实现高可靠性操作，特别适用于数据中心应用。
▸创新点3：消除数据碎片化（系统创新）——通过批量写入算法和非易失性页缓冲器的结合，有效消除随机写入中的数据碎片化，使SSD性能提升一倍。
▸创新点4：低编程/擦除电压和高耐久性（电路创新）——Fe-NAND闪存采用6V的低编程/擦除电压和1亿次的高耐久性，非常适合高速、低功耗、高可靠性的数据中心应用SSD。
Abstract
enter Application
High-Speed and Highly Reliable Enterprise
Solid-State Drives
Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Y ajima, Takeshi Horiuchi, Shouyu Wang, Xizhen Zhang, Mitsue Takahashi,
Shigeki Sakai, Member , IEEE, and Ken Takeuchi
Abstract—A ferroelectric (Fe)- NAND flash memory with a batch
write algorithm and a smart data store to the nonvolatile page
buffer is proposed. An enterprise solid-state drive (SSD) for a data
center is a future promising market of
NAND flash memories. The
critical problem for