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JSSC 2010第10期RF & Wireless

Introduction to the 31st Annual IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit S

2009年IEEE化合物半导体集成电路研讨会综述，涵盖毫米波电路、GaN可靠性等热点话题。
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化合物半导体毫米波电路GaNCMOS功率放大器
▸毫米波电路设计进展：论文展示了140 GHz接收器芯片组的设计，采用100 nm InAlAs/InGaAs HEMT技术，包含35 GHz VCO、频率倍增器、LNA和次谐波混频器，功耗仅为120 mW。这一系统创新在被动成像应用中具有显著性能优势。
▸GaN可靠性研究：论文讨论了GaN器件在MMIC功率放大器中的可靠性挑战，特别是在热管理方面的创新方法。这一方法创新为高功率应用中的GaN技术提供了更稳定的性能保障。
▸数字控制毫米波电路：论文探讨了毫米波电路中数字控制技术的应用，如相位调节器的数字化设计。这一电路创新为毫米波系统提供了更高的灵活性和精确控制能力。
▸SiGe BiCMOS技术应用：论文报告了70–80 GHz收发器的设计，采用0.13μm SiGe BiCMOS技术，展示了硅基技术在毫米波频段的潜力。这一技术创新为低成本、高性能毫米波电路提供了新方向。
Abstract
L OF SOLID-STATE CIRCUITS covers the 2009 Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium held in Greensboro, North Carolina, October 11–14, 2009. For more than thirty years, the CSIC Symposium (formerly the GaAs IC Symposium) has been the preeminent forum for developments in integrated circuits and technologies targeting high-performance, high-fre- quency analog, wireless, and digital/OEIC applications. The symposium has historically focused on developments in com- pound semiconductors such