JSSC 2010第10期Memory90nm

Noise-Immune Embedded NAND-ROM Using a Dynamic Split Source-Line Scheme for VDDm

提出动态分割源线方案解决NAND-ROM的代码依赖性噪声问题，提升低电压下的读取性能。

256 Kb宏, 90 nm工艺, 1-0.31V宽电压范围, 速度提升38%, 功耗降低45.8%, 待机电流减少37%

NAND-ROM动态分割源线低电压代码依赖性噪声嵌入式存储器

▸创新点1：动态分割源线(DSSL)方案（电路创新）。该方案通过动态分割源线，有效解决了NAND-ROM在低电压下的电荷共享效应、位线漏电流和串扰问题，显著提升了读取稳定性和速度。

▸创新点2：抑制代码依赖性噪声（系统创新）。通过DSSL方案，实现了100%的代码模式覆盖，消除了代码依赖性噪声，确保在不同代码模式下读取的可靠性。

▸创新点3：降低门漏电流（电路创新）。DSSL方案在主动模式下有效抑制了门漏电流，减少了功耗，提升了电源效率，尤其在低电压环境下表现显著。

▸创新点4：宽电压范围工作（系统创新）。DSSL NAND-ROM在1-0.31V的宽电压范围内稳定工作，速度提升38%，功耗降低45.8%，待机电流减少37%，显著增强了低电压适应性。

Abstract

eng Yang, Chih-Wei Liang, Chih-Chyuang Chiang, Pi-Feng Chiu, and Ku-Feng Lin Abstract—Embedded NAND-type read-only-memory (NAND- ROM) provides large-capacity, high-reliability, on-chip non- volatile storage. However , NAND-ROM suffers from code-de- pendent read noises and cannot survive at low supply voltages (VDDs). These code-dependent read noises are primarily due to the charge-sharing effect, bitline leakage current, and crosstalk between bitlines, which become worse at lower VDD. This study