← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2010第12期Other65nm
A 12-V 10- 22W NPN-Based Temperature Sensor in 65-nm CMOS With an Inaccuracy of
65nm CMOS工艺下实现的NPN温度传感器，精度达±0.2°C。
65nm CMOS, 1.2V, ±0.2°C精度, -70°C至125°C温度范围
温度传感器NPN晶体管65nm CMOS动态技术高精度
▸创新点1：采用NPN晶体管作为感测元件（方法创新）。在65nm CMOS工艺中利用NPN晶体管的温度特性实现高精度测温，相比传统PNP或电阻传感方案，具有更好的线性度和稳定性，支持-70°C至125°C宽温范围。
▸创新点2：动态技术融合（电路创新）。结合相关双采样(CDS)抑制低频噪声，动态元件匹配(DEM)减小工艺偏差，二者协同提升精度，使未校准误差仅±0.5°C，校准后达±0.2°C(3σ)。
▸创新点3：单次室温校准（系统创新）。通过优化电路架构和算法，仅需一次室温标定即可覆盖全温区，大幅降低量产测试成本，同时保持0.2°C的高精度。
▸创新点4：低功耗微型化设计（电路创新）。在1.2V电源下仅消耗8.3μA电流，面积0.1mm²，适合物联网设备等对功耗和尺寸敏感的应用场景。
Abstract
An NPN-based temperature sensor with digital
output has been realized in a 65-nm CMOS process. It achieves a
batch-calibrated inaccuracy of
0.5
C( 3
) and a trimmed inac-
curacy of
0.2
C( 3
) over the temperature range from
70
C
to 125
C. This performance is obtained by the use of NPN tran-
sistors as sensing elements, the use of dynamic techniques, i.e.,
correlated double sampling and dynamic element matching, and
a single room-temperature trim. The sensor draws 8.3
Af r o ma
1.2-V supp