← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2011第1期Memory45nmSRAM
A 512kb 8T SRAM Macro Operating Down to 057 V With an AC-Coupled Sense Amplifier
45nm SOI CMOS工艺下的8T SRAM，支持0.57V至1.2V电压范围，采用AC耦合感应放大器。
45nm SOI CMOS, 0.57V-1.2V, 400ps-3.4ns
SRAM低功耗电子电压缩放感应放大器工艺变异
▸创新点1：AC耦合感应放大器（电路创新） - 采用AC耦合技术有效解决了低电压操作时的时序变化问题，显著提升了在0.57V至1.2V电压范围内的信号检测灵敏度，访问时间从400ps到3.4ns可调。
▸创新点2：再生全局位线方案（电路创新） - 通过再生全局位线设计实现了高效的数据路径，优化了面积利用率，同时保持了高速数据访问能力，适用于大规模SRAM阵列。
▸创新点3：数据保持电压传感器（系统创新） - 开发了一种新型电压传感器，能够在不破坏存储器内容的情况下预测由失配限制的最小待机电压，显著降低了待机功耗。
▸创新点4：电压可扩展性设计（系统创新） - 实现了从1.2V到0.57V的宽电压范围操作，兼容静态CMOS逻辑，同时优化了能耗效率，适用于电池供电和高温应用场景。
Abstract
5 nm SOI CMOS
Masood Qazi, Student Member , IEEE, Kevin Stawiasz , Member , IEEE, Leland Chang , Member , IEEE, and
Anantha P . Chandrakasan, Fellow, IEEE
Abstract—An 8T SRAM fabricated in 45 nm SOI CMOS
exhibits voltage scalable operation from 1.2 V down to 0.57 V
with access times from 400 ps to 3.4 ns. Timing variation and the
challenge of low voltage operation are addressed with an AC-cou-
pled sense amplifier. An area efficient data path is achieved with
a regenerative global bitline scheme.