← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2011第3期Other0.18μm SiGe BiCMOS
A Single-Chip 125-MHz to 32-GHz Signal Source in 018-22m SiGe BiCMOS
一款0.18μm SiGe BiCMOS工艺的单片信号源，覆盖125MHz至32GHz连续频率范围。
0.18μm SiGe BiCMOS, 284-498mW功耗, 1.05ps抖动, -117.6dBc/Hz相位噪声
分数N合成器频率合成器毫米波软件定义无线电超宽带
▸创新点1：125MHz至32GHz连续频率覆盖，采用多频段LC-VCO设计和频率合成技术，实现了超宽频带信号生成，覆盖了从低频到毫米波频段的广泛需求，适用于多种无线通信和测试设备应用。
▸创新点2：最小频率步进小于10Hz，通过高分辨率分数-N合成器实现，提供了极高的频率调谐精度，适用于需要精确频率控制的场景，如软件定义无线电和精密测试设备。
▸创新点3：多频段LC-VCO设计，集成了四个LC-VCO，覆盖4-8GHz范围，并通过频率倍频和分频扩展至125MHz-32GHz，显著提高了频率合成的灵活性和性能。
▸创新点4：低相位噪声和高稳定性，在6GHz输出频率下，1MHz偏移处的相位噪声达到-117.6dBc/Hz，集成相位噪声为-28dBc，抖动仅为1.05ps，确保了信号的高质量和稳定性。
Abstract
seph Weiner , Senior Member , IEEE,
Ut-V a Koc, Senior Member , IEEE , Marta Rambaud, Fang-Ren Liao , Student Member , IEEE ,
Y oung-Kai Chen, Fellow, IEEE, and Peter R. Kinget , Fellow, IEEE
Abstract—We present a 4.4-mm /50single-chip synthesized signal
source with 125 MHz to 32 GHz continuous frequency coverage
with a minimum frequency step smaller than 10 Hz. The chip is
fabricated in a 0.18- μm SiGe BiCMOS 1P6M technology. A core
fractional-N synthesizer using a 20-MHz reference frequency ha