JSSC 2011第4期RF & Wireless0.18μm

Highly Linear RF CMOS V ariable Attenuators With Adaptive Body Biasing Ya n - Yu

提出一种新型自适应体偏置方法，实现高线性度RF CMOS可变衰减器设计。

33 dB衰减范围，0.9–2.9 dB插入损耗，>9 dB回波损耗，>7.5 dBm IP1dB

CMOS衰减器自适应体偏置线性度WCDMA射频前端

▸创新点1：自适应体偏置技术（方法创新） - 提出了一种新颖的自适应体偏置方法，通过动态调整MOSFET的体偏置电压来优化线性度和功率处理能力，解决了传统固定体偏置在宽频带应用中线性度不足的问题。该技术在0.9–2.9 dB插入损耗下实现了33 dB的衰减范围。

▸创新点2：最大功率处理能力（电路创新） - 通过优化晶体管阻抗匹配和自适应偏置，实现了7.5 dBm以上的输入1-dB压缩点（IP）和17 dBm以上的IIP，显著提升了功率处理能力，适用于高线性要求的WCDMA发射机。

▸创新点3：宽频带响应（系统创新） - 设计支持400 MHz至3.7 GHz的宽频带操作，覆盖了多种无线通信标准的需求，同时保持9 dB以上的回波损耗，展现了优异的频率适应性。

▸创新点4：小型化与高集成度（工艺创新） - 采用IBM 0.18-μm CMOS工艺，实现了高集成度的电路设计，相比同类工作在相同性能指标下占用面积最小，降低了制造成本。

Abstract

Several approaches to design a linear attenuator have been analyzed in terms of the tran sistor impedance variation, linearity, frequency responses, and circuit complexity. This paper proposes a novel method of using an adaptive bootstrapped body biasing. The method allows the attenuator to have maximum power handling capability and b andwidth without adding com- plexity to the circuit. A -type variable attenuator for WCDMA transmitters has been designed and fabricated using IBM 0.18- m triple-w