← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2011第4期Other0.12-μm SiGe BiCMOS
Staggered Gain for 100 GHz Broadband Amplifiers Joohwa Kim Student Member IEEE a
采用交错调谐级联和达林顿反馈放大器实现100 GHz宽带放大器，具有低增益波动和群延迟。
0.12-μm SiGe BiCMOS, 2-V, 102 GHz带宽, 10 dB增益, 1.5-dB增益波动, <6 ps群延迟变化
带宽增强SiGe BiCMOS宽带放大器低群延迟变化跨阻放大器
▸交错调谐级联设计：采用多级交错调谐（stagger-tuned）结构实现带宽扩展，通过精确的频率响应均衡技术将3dB带宽提升至102 GHz，同时将增益波动控制在1.5 dB以内（方法创新）。
▸达林顿反馈放大器：结合达林顿拓扑与反馈技术，优化高频信号传输效率，显著降低输入阻抗并提升线性度，支持100 GHz以上宽带信号处理（电路创新）。
▸低群延迟变化：通过构造性波放大器（constructive wave amplifier）设计，将群延迟变化控制在6 ps以内，确保高速信号完整性，适用于40 Gb/s以上光通信系统（系统创新）。
▸高能效实现：基于0.12μm SiGe BiCMOS工艺，在73 mW功耗（2V电源）下实现10 dB增益，芯片面积仅0.29 mm²，体现工艺与电路协同优化（工艺创新）。
Abstract
t—A broadband amplifier is realized with cascaded
stagger-tuned stages that are equalized for high bandwidth and
low gain ripple. The staggered frequency response is demon-
strated to improve the transimpedance limit of active circuits.
The staggered response is demonstrated with a Darlington feed-
back amplifier and a constructive wave amplifier, which achieves
low group delay. The broadband amplifier is implemented in a
0.12-
m SiGe BiCMOS process and achieves a 3-dB bandwidth
of 102 GHz. The gain