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JSSC 2011第5期Data Converters65nmTime-Interleaved ADCNeural Network Accelerator

A CMOS 6-Bit 16-GSs Time-Interleaved ADC Using Digital Background Calibration Te

采用65nm CMOS工艺的6位16GS/s时间交织ADC,集成数字背景校准技术。
65nm CMOS, 1.5V, 16GS/s, 30.8dB SNDR, 435mW
模数转换校准闪存ADC时间交织时序偏差
创新点1:无前置放大器的锁存比较器设计(方法创新)。该论文采用直接锁存比较器结构,省去了传统flash ADC中的前置放大器,通过数字偏移校准技术补偿比较器输入端的固有偏移,从而在65 nm CMOS工艺下实现6-bit分辨率与16 GS/s采样率,降低了功耗与面积。
创新点2:数字背景偏移校准(系统创新)。通过实时数字校准技术动态消除比较器输入端的随机偏移,无需额外模拟电路(如电容偏移存储),提升了ADC的线性度,最终实现30.8 dB的SNDR性能。
创新点3:多相位时钟生成与时序偏差校准(电路创新)。采用延迟锁定环(DLL)生成8路均匀采样时钟,结合数字后台校准消除通道间时序偏差,确保16 GS/s全速采样下的时序一致性,解决了TI-ADC通道失配问题。
创新点4:高集成度低功耗设计(系统创新)。在1.5V电源电压下仅消耗435mW,芯片面积0.48mm²,通过优化比较器架构与数字校准算法,实现了高能效比(6-bit@16GS/s),适用于高速通信系统。
Abstract
i Wang, and Jieh-Tsorng Wu , Senior Member , IEEE Abstract—An 8-channel 6-bit 16-GS/s time-interleaved analog- to-digital converter (TI ADC) was fabricated using a 65 nm CMOS technology. Each analog-to-digital channel is a 6-bit flash ADC. Its comparators are latches without the preamplifiers. The input-re- ferred offsets of the latches are reduced by digital offset calibra- tion. The TI ADC includes a multi-phase clock generator that uses a delay-locked loop to generate 8 sampling clocks from a r