← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2011第9期Other130nm
A Scalable Shield-Bitline-Overdrive Technique for Sub-15 V Chain FeRAMs Daisabur
提出一种用于亚15V链式FeRAM的可扩展屏蔽位线过驱动技术，通过130nm测试芯片验证，显著提升信号窗口。
130nm工艺, 0.7191μm单元, 576Kb容量, 1.3V操作电压, 信号窗口提升100mV
铁电存储器位线过驱动信号增强耦合噪声消除低电压操作
▸创新点1：屏蔽位线过驱动技术（电路创新），通过在读取操作期间利用位线间耦合施加0.24V额外偏压，显著提升铁电电容信号强度，使1.3V阵列操作的尾部信号提升100mV，实现信号窗口翻倍。
▸创新点2：动态噪声消除机制（系统创新），该技术通过屏蔽位线驱动主动抵消位线间耦合噪声，解决了低电压缩放FeRAM中因宽信号分布导致的噪声恶化问题，实测噪声抑制效果显著。
▸创新点3：电压-面积协同优化设计（方法创新），在仅增加0.9%阵列面积和5ns访问时间代价下，同时实现信号增强和噪声抑制，为高密度存储器（256Mb/512Mb）提供可扩展方案，预计信号窗口可达200mV以上。
▸创新点4：工艺缩放增益特性（方法创新），利用位线耦合比例随工艺微缩而增大的物理特性，使技术效益随存储密度提升自然增强，形成正向技术迭代循环。
Abstract
A ferroelectric capacitor overdrive technique with
shield-bitline drive has been demonstrated and veri fied by a 130
nm 576 Kb test chip with a 0.7191 m cell. First, cell signal degra-
dation and bitline-to-bitline cou pling noise worsened by wide cell
signal distribution in low voltage scaled FeRAMs are discussed.
Next, the shield-bitline-overdri ve technique is presented. This
technique applies a 0.24 V higher b ias to the ferroelectric capac-
itor through bitline-to-bitline coupling during the