▸创新点1：系统创新 - 提出了一种基于环形振荡器阵列的测量系统，能够高效统计电路老化特性，特别是在偏置温度不稳定性（BTI）和热载流子注入（HCI）应力下的老化分布。
▸创新点2：方法创新 - 实现了微秒级测量，最小化BTI恢复效应，确保测量结果的准确性和实时性，为电路老化研究提供了高时间分辨率的数据支持。
▸创新点3：电路创新 - 设计了三个拍频检测系统协同工作，频率偏移测量分辨率低至0.07%，显著提高了测量精度，为电路老化特性分析提供了高精度的频率变化数据。
▸创新点4：方法创新 - 通过65 nm测试芯片的实验结果，首次揭示了初始频率与应力引起的频率偏移之间无相关性，且频率偏移的均值和标准差随应力时间增加，标准差与均值比值随应力时间减少，为电路老化模型提供了新的统计特性数据。
Abstract
Variations in the number and characteristics of
charges or traps contributing to transistor degradation lead to a
distribution of device “ages” at any given time. This issue is well
understood in the study of time dependent dielectric breakdown,
but is just beginning to be thoroughly addressed under bias tem-
perature instability (BTI) and hot carrier injection (HCI) stress.
In this paper, we present a measur ement system that facilitates
efficient statistical aging measur ements involving the la