← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2011第10期Clocking & PLLs0.25μm
InP HBT IC Technology for Terahertz Frequencies Fundamental Oscillators Up to 05
开发0.25微米InP HBT IC技术，支持太赫兹频段（0.3-3 THz）振荡器设计。
0.25μm InP HBT, 800GHz fT, 4V BVCEO, 输出功率6.2-19.2 dBm
InP HBT太赫兹振荡器差分调谐亚谐波混频器
▸创新点1：0.25微米InP HBT晶体管技术（方法创新） - 该技术实现了800 GHz的截止频率（fT）和4 V的共射极击穿电压（BVCEO），在THz频段（0.3-3 THz）提供了高性能的晶体管基础，同时集成了三级互连和背面处理技术。
▸创新点2：差分串联调谐拓扑振荡器设计（电路创新） - 采用差分串联调谐拓扑结合共基极缓冲器的设计，实现了高达0.57 THz的振荡频率，输出功率分别为6.2 dBm（310.2 GHz）、5.6 dBm（412.9 GHz）和19.2 dBm（573.1 GHz）。
▸创新点3：集成亚谐波下变频混频器（系统创新） - 在400 GHz振荡器设计中集成了亚谐波下变频混频器，简化了高频频谱测量，提升了系统测试的便捷性和准确性。
▸创新点4：变容管调谐设计（电路创新） - 变容管调谐方案实现了10.6-12.3 GHz的调谐带宽，适用于高达300 GHz的频率范围，展示了优异的频率可调性。
Abstract
We report on the development of a 0.25- mI n P
HBT IC technology for lower end of the THz frequency band
(0.3–3 THz). Transistors demonstrate an extrapolated
of
800 GHz while maintaining a common-emitte rb r e a k d o w n
voltage (BVCEO) 4 V. The transistors have been integrated in
a full IC process that includes thre e-levels of interconnects, and
backside processing. The technology has been utilized for key
circuit building blocks (ampli fiers, oscillators, frequency dividers,
PLL, etc), all op