← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2011第10期Other
Introduction to the Special Section on the 32nd Annual IEEE Compound Semiconduct
IEEE JSSC特刊介绍2010年化合物半导体集成电路研讨会，涵盖GaAs、InP、GaN等材料及硅基技术进展。
无
化合物半导体GaAsInPCMOS高频集成电路
▸创新点1：化合物半导体与硅基技术的融合，通过将GaAs、InP等化合物半导体与SiGe、CMOS技术结合，实现了高频、高性能的混合信号电路设计，显著提升了无线通信和毫米波应用的性能指标。
▸创新点2：高频模拟与无线应用的电路设计，采用先进的纳米级CMOS器件和化合物半导体技术，设计了高性能的线性收发器MMIC，适用于毫米波系统和高速数字信号处理。
▸创新点3：纳米级CMOS器件的跨领域应用，通过优化器件结构和材料，将CMOS技术扩展到高频和毫米波领域，实现了与传统化合物半导体相媲美的性能，同时降低了成本。
▸创新点4：EDA设计流程与工具的革新，针对化合物半导体和硅基技术的混合设计，开发了新的EDA工具和设计流程，提高了设计效率和电路性能。
Abstract
Section of the IEEE J OURNAL OF
SOLID-STATE CIRCUITS covers the 2010 Compound
Semiconductor Integrated Circuit Symposium held in Mon-
terey, California, October 3–6, 2010. For more than thirty ye ars,
the CSIC Symposium (formerly the GaAs IC Symposium) ha s
focused on developments in compound semiconductors s uch
a sG a A s ,I n P ,G a N ,a n dab i to fS i G e ,a n dh a sb e e no n eo ft he
key conferences for developments in integrated circ uits and de-
vice technologies targeting high-performa