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JSSC 2011第11期Power Management55nm

Minimized Transient and Steady-State Cross Regulation in 55-nm CMOS Single-Induc

提出一种55nm CMOS单电感双输出降压转换器,有效降低稳态和瞬态交叉调节。
55nm CMOS, 1.44mm², 91%峰值效率
单电感双输出降压转换器交叉调节能量分配CMOS
创新点1:双模能量传输方法减少交叉调节(系统创新)。该方法通过动态切换能量传输模式,有效降低了稳态输出电压纹波和负载瞬态响应中的交叉调节,提升了系统的整体性能。
创新点2:自动能量旁路机制提高效率(电路创新)。该机制在允许的输出电压纹波范围内,自动减少能量传输路径的数量,从而提高了转换效率,同时保证了电压的稳定性。
创新点3:低电压能量分配控制器保证良好稳压(系统创新)。该控制器通过精确的能量分配,确保了双输出端口的电压调节和低输出电压纹波,适用于高效SoC集成。
创新点4:55-nm CMOS工艺实现高集成度(工艺创新)。测试芯片在55-nm CMOS工艺下实现,面积仅为1.44 mm²,峰值效率达到91%,展示了高集成度和高效能。
Abstract
A single-inductor dual-output (SIDO) step-down DC-DC converter with contin uous conduction mode (CCM) oper- ation is proposed to achieve an area-ef ficient power management module. The low-voltage energy distribution controller (LV-EDC) can simultaneously guara ntee good voltage regulation and low output voltage ripple. With the proposed dual-mode energy de- livery methodology, cross regulation in steady-state output voltage ripple, which is rarely discussed, and cross regulation in load transien