← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2011第11期Other0.5μm CMOS
Rail-to-Rail Linear Hot-Electron Injection Programming of Floating-Gate V oltage
提出一种线性热电子注入技术，简化编程过程，实现超过13位精度的浮动栅电压编程。
编程精度大于13位，注入速率可控范围0.1至4.1V
热电子注入浮动栅电压编程精度反馈电路CMOS
▸创新点1：线性热电子注入技术（方法创新）。该技术通过消除传统脉冲宽度和幅度的非线性调整，实现了注入过程的线性化，编程精度超过13位，显著提高了电压参考的准确性和可重复性。
▸创新点2：主动反馈电路设计（电路创新）。采用反馈机制动态稳定注入过程中的非线性因素（如温度、工艺偏差），确保注入速率恒定，简化了校准流程并提升了系统可靠性。
▸创新点3：简化的编程流程（系统创新）。通过线性化注入和反馈控制，省去了传统复杂的预测模型和多次迭代步骤，使编程时间缩短至50ms脉冲内完成，支持0.1V至4.1V的宽范围电压编程。
▸创新点4：高精度与宽动态范围（性能创新）。实测注入速率可调范围达6.9至250V/s，且在0.5μm CMOS工艺下实现，兼顾了低功耗（未明确数据）与高分辨率（13-bit以上）的平衡。
Abstract
Hot-electron injection is widely used for accurate pro-
gramming of on-chip floating-gate voltage and current reference s.
The conventional programming approach involves adapting the
duration and magnitude of the injec t i o np u l s e sb a s e do nap r e d i c -
tive model which is estimated by using measured data. However,
varying the pulse-widths or amplitu des introduces nonlinearity in
the injection process which complic ates the modeling, calibration
and programming procedure. In this paper