JSSC 2011第12期RF & Wireless65nmPower Amplifier

A 65-nm CMOS Fully Integrated Transceiver Module for 60-GHz Wireless HD Applicat

65nm CMOS工艺集成60GHz无线HD收发模块，支持3.8Gbps传输。

65nm CMOS, 3.8 Gbps, 454 mW (RX), 1090 mW (TX)

60GHzCMOS收发模块无线HDOFDM

▸创新点1：65nm CMOS工艺集成 - 采用65纳米CMOS工艺实现全集成60GHz收发器，显著降低功耗（RX模式454mW，TX模式1090mW）并提升集成度，支持16QAM OFDM调制，实现3.8Gbps高速数据传输。

▸创新点2：低成本HTCC模块封装 - 通过高温共烧陶瓷（HTCC）模块封装技术，将硅芯片倒装焊在模块上，兼顾射频性能与制造成本，适合工业化量产。

▸创新点3：大波束宽度天线设计 - 集成宽波束天线于模块中，增强信号覆盖范围与连接稳定性，克服毫米波通信中方向性强的限制，提升实用场景适应性。

▸创新点4：多通道兼容性 - 支持60GHz频段的四个标准信道，灵活适应不同区域的频谱规范，扩展了设备的全球适用性。

Abstract

A fully integrated Wire lessHD compatible 60-GHz transceiver module in 65-nm CMOS process is presented, covering the four standard channels. The silicon die is ﬂip-chipped on top of a low-cost HTCC module which also includes an external 65-nm CMOS PA and large beamwidth antennas targeting industrial manufacturability. The mo dule achieves a 16QAM OFDM mod- ulation wireless link with 3.8 Gbps over 1 m. The transceiver consumption is 454 mW in RX mode (including PLL) and 1090 mW in TX mode (includ