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JSSC 2012第1期RF & Wireless65nm

An Energy-Efficient and High-Speed Mobile Memory IO Interface Using Simultaneous

提出一种高效节能、高速的移动内存I/O接口，采用双向双频信号传输技术。
8.4 Gb/s, 2.5 pJ/b, BER < 10^-12
移动内存I/O接口双向双频ASK调制节能
▸创新点1：双向双频信号传输（系统创新） - 通过同时使用RF频段和基带进行双向数据传输，显著提升带宽至8.4 Gb/s，同时保持2.5 pJ/b的超低能耗，解决了传统单频段接口的速率瓶颈问题。
▸创新点2：ASK调制解调器设计（电路创新） - 采用创新的振幅键控调制技术，省去了传统方案中高功耗的预加重和均衡电路，在65nm CMOS工艺下实现仅10.5mW（RF）和11mW（基带）的功耗。
▸创新点3：片上带选择性变压器（方法创新） - 集成可动态选择频段的变压器结构，有效隔离RF/基带信号，面积仅0.08mm²和0.06mm²，支持10cm传输距离下BER<10^-12的稳定通信。
▸创新点4：双频段协同架构（系统创新） - 通过RF频段（高频）和基带（低频）的并行处理，在单芯片内实现频谱资源优化利用，相比单频方案带宽提升2.3倍且兼容移动内存标准。
Abstract
A fully-integrated 8.4 Gb/s 2.5 pJ/b mobile memory I/O transceiver using simultaneous bidirectionaldual band sig- naling is presented. Incorporating both RF-band and baseband transceiver designs, this prototype demonstrates an energy-ef- ficient and high-bandwidth solution for future mobile memory I/O interface. The proposed amplitude shift keying (ASK) mod- ulator/demodulator with on-chip band-selective transformer obviates a power hungry pre-emphasis and equalization cir- cuitry, revealing a lo