← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2012第2期RF & Wireless0.12μm SiGe BiCMOSTransceiver
A Switchless -Band Bidirectional Transceiver in 012- m SiGe BiCMOS Technology Jo
一款采用0.12μm SiGe BiCMOS技术的无开关双向收发器，工作频率40-45 GHz。
发射转换增益35 dB，接收转换增益34 dB，噪声系数4.7 dB，功耗119.4 mW（发射）/54 mW（接收）
毫米波双向收发器SiGe BiCMOS无开关设计PA/LNA电路
▸创新点1：无开关设计（方法创新） - 该收发器通过新型PA/LNA电路设计完全消除了传统毫米波系统中必需的T/R开关，减少了插入损耗和芯片面积，实现了35 dB的发射转换增益和34 dB的接收转换增益。
▸创新点2：新型PA/LNA电路（电路创新） - 采用独特的双向放大器结构，在40-45 GHz频段同时实现功率放大（PA）和低噪声放大（LNA）功能，发射模式Psat达9.5 dBm，接收模式噪声系数仅4.7 dB。
▸创新点3：毫米波双向收发器集成（系统创新） - 在0.12-μm SiGe BiCMOS工艺上首次实现全集成双向收发器，芯片面积仅1.6 mm×0.8 mm，发射功耗119.4 mW，接收功耗54 mW，带宽分别达4 GHz（发射）和3 GHz（接收）。
▸创新点4：高频性能优化（技术突破） - 通过创新的阻抗匹配和偏置技术，在43 GHz实现5 dBm的接收模式OP1dB，突破了硅基工艺在毫米波频段的线性度限制。
Abstract
A fully-integrated -band (40–45 GHz) bidirec-
tional transceiver is demonstrated in a 0.12- m SiGe BiCMOS
technology. The RF front-end design e liminates the need for
transmit/receive switches by demonstrating a novel PA/LNA
circuit. The transceiver has a transmit conversion gain of 35 dB
with a 3-dB bandwidth of 4 GHz. The O P1dB is 8.5 dBm and Psat
is 9.5 dBm. The transceiver has a receive conversion gain of 34 dB
with a 3-dB bandwidth of 3 GHz. The noise figure is 4.7 dB and
OP1dB is 5 dBm at