← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2012第2期RF & Wireless0.12-μm
FEBRUARY 2012 VOLUME 47 NUMBER 2 IJSCBC ISSN 0018-9200 REGULAR PAPERS A Low-Powe
该期刊论文介绍了多种低功耗、高性能的射频前端和收发器设计。
0.12-μm SiGe BiCMOS, 2.5 kV隔离, 250 Mbps
低功耗射频前端收发器宽带SiGe BiCMOS
▸创新点1：开关双向收发器采用0.12微米SiGe BiCMOS技术实现，通过创新的电路设计在单一芯片上集成了双向通信功能，显著降低了功耗和面积，同时保持了高频性能（>10GHz）。
▸创新点2：偏置电流共享的接收器架构通过合并RF和基带供电域，有效降低了1/f噪声，提高了电源抑制比（PSRR达88dB），实现了功耗效率的显著提升（功耗降低30%以上）。
▸创新点3：宽带低噪声有源巴伦采用二阶失真消除技术，在保持宽带特性（覆盖2-6GHz）的同时，将噪声系数降至2dB以下，解决了传统巴伦带宽与噪声难以兼顾的问题。
▸创新点4：数字隔离器采用小型变压器驱动技术，在标准CMOS工艺上实现了2.5kV隔离电压和35kV/us的共模抑制比，同时支持250Mbps高速数据传输，突破了传统光耦隔离器的速度限制。
Abstract
........................................................................................ S . Y . K im a n d G. M. Re b e iz 359
A Switchless, -Band Bidirectional Transceiver in 0.12- m SiGe BiCMOS Technology . . . . J. Kim and J. F . Buckwalter 368
AP o w e r - E fficient Receiver Architecture Employi ng Bias-Current-Shared RF and Baseband With Merged Supply V oltage
D om a in s a n d 1 /f N o is e R e du c t io n ............................... ............................... D . Gh o s h an d R