← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2012第4期Memory21nmFlash Memory
A 21 nm High Performance 64 Gb MLC NAND Flash Memory With 400 MBs Asynchronous T
21纳米工艺64Gb MLC NAND闪存，支持400MB/s异步DDR接口。
21nm CMOS, 400MB/s, 32KB页大小
NAND闪存MLC异步DDR21纳米高带宽
▸创新点1：异步DDR接口（系统创新） - 新开发的异步DDR接口支持高达400 MB/s的最大带宽，显著提升了数据传输速率，适用于高性能存储需求。
▸创新点2：片上随机化器（电路创新） - 集成在芯片上的随机化器提高了数据的可靠性和安全性，通过随机化数据分布减少了存储单元的磨损。
▸创新点3：增量位线预充电方案（方法创新） - 采用增量位线预充电技术，优化了位线预充电过程，减少了功耗并提高了读取速度。
▸创新点4：软数据读出技术（方法创新） - 软数据读出技术通过多次读取和数据分析，提高了数据读取的准确性，增强了存储器的可靠性。
Abstract
A monolithic 64 Gb MLC NAND flash based on
21 nm process technology has been de veloped. The device consists
of 4-plane arrays and provides page size of up to 32 KB. It also
features a newly developed asynchronous DDR interface that
can support up to the maximum bandwidth of 400 MB/s. To
improve performance and reliabili ty, on-chip randomizer, soft
data readout, and incremental bit line pre-charge scheme have
been developed.