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JSSC 2012第4期RF & Wireless45nm SOI CMOS

An 8x 10-Gbs Source-Synchronous IO System Based on High-Density Silicon Carrier

基于高密度硅载体的8x10-Gbs源同步IO系统，采用先进硅封装技术实现高密度互连。
8x10-Gb/s, 5.3 pJ/bit, 1 V TX/RX电源
源同步IO硅载体高密度互连相位旋转器DFE-IIR均衡
▸创新点1：高密度硅载体互连（系统创新）。通过使用50微米间距的C4焊点和硅载体上的精细间距互连，实现了创纪录的互连密度，显著提升了芯片间通信的带宽和效率。
▸创新点2：链路冗余架构（系统创新）。引入了一种具有链路冗余的I/O架构，允许在不中断数据传输的情况下定期重新校准链路，提高了系统的可靠性和稳定性。
▸创新点3：共享相位旋转器的时序恢复系统（电路创新）。提出了一个接收总线中所有比特共享两个相位旋转器的时序恢复系统，简化了电路设计并降低了功耗，同时实现了高效的数据恢复。
▸创新点4：紧凑型DFE-IIR均衡器（电路创新）。在接收器中集成了紧凑型DFE-IIR均衡器，有效补偿了信道损耗，支持在高达6厘米的链路上以8.9 Gb/s的速率恢复数据，链路损耗达16.3 dB。
Abstract
A source synchronous I/O system based on high-den- sity silicon carrier interconnects is introduced. Bene fiting from the advantages of advanced silicon pa ckaging technologies, the system uses 50 m-pitch C4s to reduce I/O cell size and fine-pitch interconnects on silicon carrie r to achieve record-breaking in- terconnect density. An I/O architecture is introduced with link redundancy such that any link can be taken out of service for periodic recalibration without in terrupting data transmission.