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JSSC 2012第5期RF & Wireless40nm

Reliability Characterization and Modeling Solution to Predict Aging of 40-nm MOS

研究40纳米MOSFET在RF/AMS应用中的可靠性及老化预测模型
40nm CMOS
MOSFET可靠性老化预测RF/AMSPSP模型
▸创新点1：RF参数退化的深入研究，通过实验和理论分析揭示了40-nm MOSFET在RF/AMS应用中的关键参数退化机制，为可靠性设计提供了物理基础（30字以上）
▸创新点2：结合DC和RF应力的创新流程，提出了一种综合应力测试方法，能够更全面地评估器件在实际工作条件下的老化行为（30字以上）
▸创新点3：使用PSP紧凑模型预测老化行为，开发了一种基于物理的模型框架，能够准确预测器件在长期应力下的性能退化（30字以上）
▸创新点4：通过实验验证了模型的准确性，在多种应力条件下展示了模型与实际测量结果的高度一致性，验证了方法的可靠性（30字以上）
Abstract
In the framework of MOSFET reliability for RF/AMS applications, a deep investigation of RF parameters degradation is performed. An innovative flow, composed of DC and RF stresses with DC and RF aging characterization, is presented. Degradation kinetics of main parameters are physically explained and modeled using PSP compact model to predict the behavior of stressed de- vices.