← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2012第7期RF & WirelessSiGe:C BiCMOSLNA
A 195 GHz Sub-1 dB NF 40 dBm OIP3 WCDMA LNA Module
展示了一款用于WCDMA基站的低噪声放大器，具有0.9 dB噪声系数和40 dBm输出IP3。
0.9 dB NF, 40 dBm OIP3, 200 mA, 5 V
低噪声放大器WCDMA级联拓扑SiGe:C BiCMOSMMIC
▸创新点1：采用级联拓扑结构优化噪声系数，相比传统两级拓扑结构实现0.1 dB的噪声系数改进，显著提升接收机灵敏度（方法创新）
▸创新点2：集成旁路模式和可变衰减功能，有效应对大输入信号情况，增强系统动态范围与线性度（系统创新）
▸创新点3：双芯片MMIC采用单一层压板封装技术，简化系统集成并降低成本，同时保持高性能（封装创新）
▸创新点4：在SiGe:C BiCMOS工艺下实现195 GHz工作频率，同时保持低于1 dB的噪声系数和40 dBm的输出三阶交调点（OIP3），展现卓越的高频性能（电路创新）
Abstract
A silicon integrated LNA for WCDMA cellular in-
frastructure applications, e.g., ba se stations will be demonstrated.
The LNA is designed for WCDMA band II, i.e., 1.92–1.98 GHz,
and reaches a 0.9 dB NF at 27 Ca n d1 . 2d Ba t6 5 C. A 0.1 dB
NF improvement is obtained when the first gain stage is imple-
mented using a cascode topology rather than a two-stage topolo gy.
The output IP3 is 40 dBm ( 38 dBm) at 27 Ca n d 37 dBm
( 36 dBm) at 65 C for the two-stage (cascode) topology. Both op-
tions have