JSSC 2012第7期Digital Circuits130nmBandgap Reference

An Ultra Low Power Bandgap Operational at Supply From 075 V V adim Ivanov Member

提出一种超低功耗（200nA）反向带隙电压参考，可在0.75V电源下工作。

130nm CMOS, 0.75V, 200nA, 2.5%精度（5σ，20-85°C）

超低功耗带隙电压参考0.75V130nm CMOS高精度

▸创新点1：超低功耗设计（200nA电流消耗），通过优化电路结构和器件尺寸，显著降低静态功耗，适用于对功耗极度敏感的微处理器系统芯片应用。

▸创新点2：0.75V低电压工作，采用创新的反向带隙电压参考结构，突破传统带隙基准电压对高电源电压的依赖，扩展了低电压应用场景。

▸创新点3：无需修调的高精度（2.5%精度，5σ），通过精心的电路设计和工艺匹配，在-20°C至85°C温度范围内实现稳定输出，降低了生产成本和复杂度。

▸创新点4：小面积实现（0.07mm²），在130nm CMOS工艺下高效利用芯片面积，通过紧凑布局和器件优化，为系统级集成提供便利。

Abstract

we present an ultra low power (200 nA current consumption) reverse bandgap voltage reference operational from supply voltages down to 0.75 V. The reference is a part of micro- processor system on chip imple mented in a digital 130 nm CMOS process and has a total area of 0.07 mm . The reference accuracy is 2.5% (5 sigma) over a temperature range of 20 to 85 C without trimming. With trimming 0.5% accuracy is achieved.