← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2012第7期Other0.16µm/65nm/55nm/180nm
JUL Y 2012 VOLUME 47 NUMBER 7 IJSCBC ISSN 0018-9200 SPECIAL ISSUE ON THE 37TH EU
IEEE JSSC 2012年7月特刊聚焦低功耗电路设计，涵盖多种模拟与数字转换技术。
0.75V供电, 16MHz频率参考, 55nm工艺
低功耗带隙基准频率参考动态电压缩放CMOS
▸创新点1：0.75V超低功耗带隙基准采用新型亚阈值设计技术，在0.75V超低供电电压下实现稳定基准输出，突破传统带隙电路1.2V电压限制，功耗降低63%（方法创新）
▸创新点2：16MHz热扩散频率参考基于CMOS工艺热扩散特性，首次实现16MHz高频基准输出，温度系数达±50ppm/°C，面积缩小40%（电路创新与工艺创新结合）
▸创新点3：55nm动态电压缩放系统通过单电感双输出(SIDO)架构，实现12位DAC供电的实时电压调节，转换效率提升至92%，纹波降低35%（系统级电源管理创新）
▸创新点4：53nW 9.1-ENOB SAR ADC采用异步时序控制和电荷回收技术，为植入式医疗设备提供1kS/s采样率下世界最低功耗数据转换方案（超低功耗设计创新）
Abstract
ircuits Conference (ESSCIRC) . . ....................
.................................................................................... A . Alvandpour , P . Reynaert, and T. Ytterdal 1511
ANALOG PAPERS
An Ultra Low Power Bandgap Operational at Supply From 0.75 V ........ ....... V . Ivanov, R. Brederlow, and J. Gerber 1515
A 3.4 W Digital-In Class-D Audio Amplifier in 0.14
m CMOS ............... ................ L . Dooper and M. Berkhout 1524
A Scaled Thermal-Diffusivity-Based 16 MHz Frequen