JSSC 2012第8期RF & Wireless0.18μm CMOS, 45nm SOI CMOS

AUGUST 2012 VOLUME 47 NUMBER 8 IJSCBC ISSN 0018-9200 SPECIAL ISSUE ON THE IEEE 2

该期刊包含多篇关于CMOS技术的论文，涵盖SOC收发器、宽带前端、功率放大器等主题。

1.9GHz, 16Gb/s, 0.16-0.25 pJ/bit, 8Gb/s

SOC收发器CMOS技术功率放大器背板收发器注入锁定

▸创新点1：Q-Enhanced滤波技术通过提高滤波器的品质因数(Q值)，显著改善了信号的选择性和噪声性能，适用于高频率SOC收发器设计，在0.18μm CMOS工艺中实现了优异的滤波效果。

▸创新点2：亚采样与注入锁定技术结合，通过降低采样频率和利用注入锁定机制，实现了低功耗和高频率稳定性，特别适用于超阈值串行链路接收器，功耗低至0.16-0.25 pJ/bit。

▸创新点3：嵌入式线性化器补偿AM-PM失真，通过动态调整功率放大器的相位响应，有效减少了非线性失真，在1.9 GHz CMOS功率放大器中实现了更高的线性度和效率。

▸创新点4：16Gb/s背板收发器采用12抽头电流积分DFE和动态自适应电压偏移与时序漂移技术，在45nm SOI CMOS工艺中实现了高速数据传输和稳定的信号完整性。

Abstract

ts Conference ................................ ................................................................................................. H . Lakdawala and A. L. S. Loke 1798 Complete SOC Transceiver in 0.18 m CMOS Using Q-Enhanced Filtering, Sub-Sampling and Injection Locking ...... ............................................................................................ R . Mason, J. F ortier , and C. DeVries 1800 A Transformer-Based Broadband Front-End Combo in Standard CMOS .... .