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Introduction to the Special Section on the 25th BipolarBiCMOS Circuits and Techn
IEEE JSSC期刊特刊介绍第25届双极/BiCMOS电路与技术会议（BCTM）的精选论文。
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BCTM双极电路BiCMOS技术硅光子学GaN-on-Si
▸创新点1：六端口接收器前端用于到达角检测 - 该技术通过集成SiGe前端实现了75至84 GHz的3 dB带宽，并在80 GHz下达到152 kV/W的响应度，功耗仅为95 mW，尺寸为1028x1128 μm²。这一方法创新显著提高了雷达系统的方向探测精度和集成度。
▸创新点2：硅光子学新兴技术 - 作为BCTM会议中的新兴技术专题，硅光子学展示了其在高速数据传输和集成光电子领域的潜力，特别是在低功耗、高带宽的光通信系统中具有重要应用价值。
▸创新点3：GaN-on-Si技术应用 - 该技术在高功率和高频率应用中表现出色，特别是在射频功率管理和控制领域，其高电子迁移率和热稳定性使其成为下一代功率电子器件的关键技术。
▸创新点4：SiGe FMCW雷达发射器前端芯片 - 该芯片集成了80 GHz VCO、4:1分频器、23 GHz低相位噪声VCO（112 dBc/Hz @ 1 MHz偏移）、PLL混频器和静态分频器，实现了低功耗和高性能的雷达系统设计。
Abstract
EEE J OURNAL OF SOLID-
STATE CIRCUITS contains a Special Section for the 25th
Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM),
held on October 9–11, 2011, in Atlanta, Georgia, USA. Since its
inception in 1986, the BCTM conference has been the premier
venue for the bipolar and BiCMOS community to advance the
state-of-the-art. Last year, BCTM celebrated its 25th anniver-
sary with a special event that t ook a walk through memory lane
as accounted by the past general chairs as the invited gue