← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2012第12期RF & Wireless40nm
A 60-GHz Outphasing Transmitter in 40-nm CMOS Dixian Zhao Student Member IEEE
40纳米CMOS工艺下实现的高效60GHz异相发射机
15.6-dBm线性输出功率，25% PAE，500-Mb/s 16QAM调制
60GHz异相发射机CMOS功率效率16QAM
▸创新点1：60GHz异相发射机设计（系统创新）。该论文首次在40nm CMOS工艺上实现了60GHz异相发射机，突破了传统CMOS工艺在高频毫米波设计中的限制，为毫米波通信系统提供了新的解决方案。
▸创新点2：高输出功率和峰值效率优化（电路创新）。通过优化功率放大器和输出匹配网络，实现了15.6dBm的线性输出功率和25%的峰值功率附加效率（PAE），显著提升了毫米波发射机的性能。
▸创新点3：失配补偿和相位校正技术（方法创新）。引入失配补偿和相位校正技术，进一步提高了平均输出功率和效率，分别提升了1.6dB和4%，有效改善了系统的整体性能。
▸创新点4：500Mb/s 16QAM调制实现（系统创新）。该发射机成功实现了500Mb/s的16QAM调制，平均输出功率为12.5dBm，平均效率为15%，EVM为22dB，展示了其在高速数据传输中的应用潜力。
Abstract
This paper presents the analysis, design, and imple-
mentation of a 60-GHz outphasing transmitter in 40-nm bulk
CMOS. The 60-GHz outphasing transmitter is optimized for
high output power and peak power-added ef ficiency (PAE) while
maintaining suf ficient linearity. The chip occupies an active area
of 0.33 mm and consumes 217 mW from a 1-V supply voltage,
delivering 15.6-dBm linear output power with 25% PAE (PA). It
achieves a 500-Mb/s 16QAM modulation with 12.5-dBm average
output power and 15% av