← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2012第12期RF & Wireless65nm
A DC-to-1 GHz Tunable RF ADC Achieving DR 74 dB and BW 150 MHz at 450 MHz Using 550 mW
65nm CMOS工艺下实现DC至1 GHz可调谐RF ADC，动态范围74 dB，带宽150 MHz。
450 MHz中心频率下150 MHz带宽，74 dB动态范围，4 GHz采样频率，功耗550 mW
RF ADC连续时间低通/带通动态范围CMOS可调谐
▸创新点1：可重构LC和主动RC调制器结构（系统创新）。该结构通过动态切换LC和主动RC网络，实现了从DC到1 GHz的连续可调带宽，支持低通和带通模式，显著提升了ADC的频率适应性和灵活性。
▸创新点2：五阶和七阶前馈运算放大器（电路创新）。采用高阶前馈补偿技术，在65-nm CMOS工艺下实现了74 dB动态范围和150 MHz带宽，解决了传统运放在高频下的增益-带宽矛盾问题。
▸创新点3：自切断比较器和双电源DAC（电路创新）。自切断比较器通过动态阈值调整降低功耗，双电源DAC优化了量化噪声分布，二者协同使ADC在4 GHz采样率下功耗仅550 mW。
▸创新点4：第六阶连续时间调制器架构（系统创新）。结合高阶噪声整形和可调谐特性，在450 MHz中心频率处实现150 MHz带宽，为RF/IF数字化提供了高线性度解决方案。
Abstract
A sixth-order dc-to-1 GHz tunable continuous-time
lowpass/bandpass ADC in 65-nm CMOS targeting RF
and IF digitizing applications is presented. The ADC achieves
150-MHz bandwidth at 450-MHz center frequency with 74-dB
dynamic range at 4-GHz sampling frequency while consuming
550 mW. This performance is enabled by a recon figurable LC
and active-RC modulator structure, fifth-order and seventh-order
feedforward operational amplifiers, a self-cut-off comparator, and
a dual-supply DAC.