← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2012第12期RF & Wireless65nm
A DC-to-1 GHz Tunable RF ADC Achieving DR 74 dB and BW 150 MHz at 450 MHz Using
65nm CMOS工艺下实现DC至1 GHz可调谐RF ADC，动态范围74 dB，带宽150 MHz。
450 MHz中心频率下150 MHz带宽，74 dB动态范围，4 GHz采样频率，功耗550 mW
RF ADC连续时间低通/带通动态范围CMOS可调谐
▸创新点1：可重构LC和主动RC调制器结构（系统创新）。该结构通过动态切换LC和主动RC网络，实现了从DC到1 GHz的连续可调带宽，支持低通和带通模式，显著提升了ADC的频率适应性和灵活性。
▸创新点2：五阶和七阶前馈运算放大器（电路创新）。采用高阶前馈补偿技术，在65-nm CMOS工艺下实现了74 dB动态范围和150 MHz带宽，解决了传统运放在高频下的增益-带宽矛盾问题。
▸创新点3：自切断比较器和双电源DAC（电路创新）。自切断比较器通过动态阈值调整降低功耗，双电源DAC优化了量化噪声分布，二者协同使ADC在4 GHz采样率下功耗仅550 mW。
▸创新点4：第六阶连续时间调制器架构（系统创新）。结合高阶噪声整形和可调谐特性，在450 MHz中心频率处实现150 MHz带宽，为RF/IF数字化提供了高线性度解决方案。
Abstract
A sixth-order dc-to-1 GHz tunable continuous-time
lowpass/bandpass ADC in 65-nm CMOS targeting RF
and IF digitizing applications is presented. The ADC achieves
150-MHz bandwidth at 450-MHz center frequency with 74-dB
dynamic range at 4-GHz sampling frequency while consuming
550 mW. This performance is enabled by a recon figurable LC
and active-RC modulator structure, fifth-order and seventh-order
feedforward operational amplifiers, a self-cut-off comparator, and
a dual-supply DAC.