← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2013第4期Other22nm/28nm/32nm
APRIL 2013 VOLUME 48 NUMBER 4 IJSCBC ISSN 0018-9200 SPECIAL ISSUE ON THE 2012 SY
本期IEEE JSSC特刊聚焦2012年低功耗与高性能电路设计创新
0.25V, 460nW, 22nm, 0.41µA, 32nm, 0.58-fJ/Bit/Search
低功耗异步处理器时钟分配SRAM内容寻址存储器
▸创新点1：异步神经信号处理器采用0.25V超低电压设计，实现460nW功耗，通过固有泄漏抑制技术显著降低静态功耗，适用于植入式医疗设备等对功耗敏感的应用场景。
▸创新点2：全数字动态自适应时钟分配系统在22nm工艺下实现，通过实时调整时钟分配网络来容忍电源电压波动，提升系统稳定性，特别适用于高性能计算芯片。
▸创新点3：分层位线电荷共享SRAM采用创新的电荷共享架构，大幅降低动态功耗，同时保持高速访问性能，在32nm工艺下验证了其能效优势。
▸创新点4：32nm HKMG SOI嵌入式DRAM实现0.41μA待机漏电流，采用低压恢复待机技术和全数字电流比较器，显著提升存储器能效比。
Abstract
. . .............. V . D e a n d H. K a bu o 895
A 0. 25 V 4 6 0 nW A s y nc h r on o us Ne u r a l Si gn a l Pr oc e s s or W i t h I n h e r e n t Le a k a ge Su pp r e s s io n ............................
....................................................................................................... T . - T . Li u an d J . M. R ab a e y 897
A 22 n m Al l - D ig i ta l D y na m ic a l l y Ad a p ti v e C l oc k D i s tr i bu t io n f o r Su p pl y V o lt a g e D r o op T o le r a n c