▸创新点1：自适应写入模式（SAWM）是一种电路创新，通过动态调整写入电压和时序，有效解决了ReRAM单元在设置/重置时间上的大范围波动问题，将操作窗口从8倍提升至24倍，重置位良率从61.5%提高到100%。
▸创新点2：自适应读取模式（SARM）是一种电路创新，针对高温环境下单元电阻变化的问题，通过实时调整读取参数，在125°C时将读取位良率从98%提升至100%，显著提高了高温稳定性。
▸创新点3：高带宽吞吐量支持是一种系统创新，通过优化内存架构和接口设计，实现了高效的数据传输能力，配合21 ns的典型访问时间，满足了高性能嵌入式应用的需求。
▸创新点4：逻辑工艺兼容的ReRAM设计是一种方法创新，采用标准0.13µm逻辑工艺实现8Mb嵌入式存储，无需特殊工艺步骤，降低了制造成本并提高了集成度。
Abstract
A0 . 1 3µ m8M b resistive random access
memory (ReRAM) test macro with cell size is developed
based on logic process for embedded applications. Smart and
adaptive write and read assist circuits are proposed to fixy i e l d
and power consumption issues arising from large variations in
set/reset time and high-temperatur e cell resistance. Self-adaptive
w r i t em o d e( S A W M )h e l p si n c r e a s et h e
window from
8X to 24X at room temperature. The reset bit yield is improved
from 61.5% to 10