← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2013第5期RF & Wireless0.18μm SiGe
Overview for the Special Section on the 2012 Radio Frequency Integrated Circuits
2012年IEEE射频集成电路专题概述，涵盖毫米波设计、PLL、SoC等方向。
无
射频集成电路毫米波相控阵CMOS功率放大器软件定义无线电
▸毫米波设计与相控阵技术：采用0.18μm SiGeBiCMOS工艺，实现了4通道收发相控阵，集成上下变频混频器，接收通道增益33dB，噪声系数7dB，发射通道饱和输出功率5dBm，频率范围70-100GHz。
▸低功耗RFID与无线传感器技术：提出了针对RFID和无线传感器的低功耗设计方法，显著降低了系统功耗，延长了设备的使用寿命。
▸高功率CMOS功率放大器：开发了高功率CMOS功率放大器，提升了输出功率和效率，适用于高功率应用场景。
▸软件定义无线电技术：实现了软件定义无线电的灵活性和可重构性，支持多种通信协议和频段，提高了系统的通用性和适应性。
Abstract
of the IEEE J OURNAL
OF SOLID-STATE CIRCUITS. This issue includes a
selection of papers presented at the 2012 IEEE Radio Fre-
quency Integrated Circuits (RFIC) Symposium, which was
held June 17–19, 2012, at the Palais des Congrès de Montréal,
in Montréal, Canada. In conjunction with the IEEE MTT-S
International Microwave Symposium (IMS), the RFIC Sym-
posium opened Microwave Week 2012, the largest worldwide
RF/Microwave meeting of the year. The RFIC Symposium
featured 23 technical session s with