← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2013第9期RF & Wireless
A Multiband RF Antenna Duplexer on CMOS: Design and Performance
一款用于3G/4G蜂窝收发器的CMOS射频双工器，具有高隔离度和低噪声特性。
隔离度>45dB, 带宽200MHz, 噪声系数5dB, 增益>27dB, 插入损耗2.5dB
射频双工器CMOS3G/4G低噪声放大器蜂窝收发器
▸创新点1：CMOS集成射频双工器设计（电路创新）：首次在CMOS工艺上实现射频双工器，突破了传统双工器依赖分立元件的限制，显著降低了成本和尺寸，适用于3G/4G多频段应用。
▸创新点2：发射路径支持大电压摆动（电路创新）：通过优化电路设计，使发射路径能够承受大电压摆动，确保在高功率传输时的稳定性和可靠性，适用于高功率3G/4G通信场景。
▸创新点3：接收路径嵌入低噪声放大器（系统创新）：在双工器中集成低噪声放大器，实现了5 dB的级联噪声系数和超过27 dB的增益，显著提升了接收信号的信噪比和灵敏度。
▸创新点4：低插入损耗设计（电路创新）：双工器在功率放大器和天线之间仅引入2.5 dB的插入损耗，有效减少了信号衰减，提升了整体系统的传输效率。
Abstract
An RF duplexer has been fabricated on a CMOS IC
for use in 3G/4G cellular transceivers. The passive circuit sustains
large voltage swings in the transmit path, and isolates the receive
path from the transmitter by more than 45 dB across a bandwidth
of 200 MHz in 3G/4G bands I, II, III, IV , and IX. A low noise am-
plifier embedded into the duplexer demonstrates a cascade noise
figure of 5 dB with more than 27 dB of gain. The duplexer inserts
2.5 dB of loss between power ampli fier and antenna.