← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2013第10期Power Management40nmNeural Network Accelerator
A 60-GHz Dual-Mode Class AB Power Ampli fier in 40-nm CMOS Dixian Zhao Student Me
40纳米CMOS工艺下实现的60GHz双模AB类功率放大器，通过新型晶体管布局和中和放大器级优化提升性能。
饱和输出功率17.0dBm（高功率模式），效率30.3%
60GHz功率放大器CMOS双模AB类
▸新型晶体管布局减少寄生效应：通过优化晶体管布局设计，显著降低了毫米波频率下的器件和互连寄生效应，提升了功率放大器的性能和稳定性。
▸中和放大器级与输入变压器协同优化：采用中和放大器级与输入变压器的协同优化设计，有效提高了功率增益和系统稳定性，同时降低了功耗。
▸双模操作提升效率：通过双模（高功率和低功率模式）操作设计，结合Class AB工作模式，显著提升了功率放大器的效率（PAE提升5.3%），并延长了电池寿命。
▸开关技术减少组合器损耗：在低功率模式下，通过开关技术关闭一个单元功率放大器，并短路其输出，有效减少了组合器损耗，进一步提升了系统效率。
Abstract
A 60-GHz dual-mode power ampli fier (PA) is imple-
mented in 40-nm bulk CMOS technology. To boost the ampli fier
performance at millim eter-wave (mmWave) frequencies, a new
transistor layout is proposed to minimize the device and intercon-
nect parasitics while the neutralized amplifier stage is co-optimized
with input transformer to improve t he power gain and stability.
The transformer-based power-combining PA consists of two unit
amplifiers, operating in Class AB for better back-off ef ficiency.
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