← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2014第10期RF & Wireless0.18µm
An EDGEGSM Quad-Band CMOS Power Ampli fier Woonyun Kim Member IEEE Ki Seok Yang
提出一种用于EDGE应用的线性功率放大器，采用0.18µm CMOS工艺，自适应偏置改善AM-AM特性。
22%和23%功率附加效率，28.5 dBm和27.5 dBm输出功率
线性功率放大器EDGECMOS自适应偏置AM-AM特性
▸创新点1：自适应偏置技术显著改善AM-AM特性（电路创新）。通过动态调整功率晶体管的偏置电压，根据输出功率水平优化工作点，在28.5dBm输出时实现22%的PAE，有效解决了传统固定偏置导致的效率下降问题。
▸创新点2：串联电容补偿技术线性化栅漏电容（方法创新）。在功率晶体管栅漏极间添加串联电容，抵消Cgd非线性效应，将AM-PM失真降低至满足EDGE标准的EVM和ACPR指标要求。
▸创新点3：四频段集成设计实现多标准兼容（系统创新）。采用单一CMOS PA覆盖蜂窝/PCS双频段(870MHz/1.8GHz)，在0.18µm工艺下同时满足E2类功率要求，输出功率分别达28.5dBm和27.5dBm。
▸创新点4：CMOS工艺功率放大器实现射频性能突破（工艺创新）。在标准数字CMOS工艺上实现23%的PAE，突破传统CMOS PA效率限制，无需特殊射频工艺即可满足EDGE调制信号要求。
Abstract
A linear power ampli fier (PA) is proposed for EDGE
application in cellular and PCS bands, using a standard 0.18 µm
CMOS technology. The linear PA is adaptively biased according to
its power level to efficiently enhance AM-AM characteristics. Non-
linear gate-drain capacitance (C
) of power transistors, which
is one of the major sources of AM-PM nonlinearity, is effectivel y
linearized by adding an additiona l capacitor in series. The pro-
totype CMOS PA achieves power added ef ficiencies of 22% an