← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2014第10期Other0.25μm InP HBT
Introduction to the Special Section on the 2013 Compound Integrated
2013年化合物集成电路研讨会精选论文，展示化合物半导体技术的最新进展。
80 GHz, 100 mW/200 mW, PAE >30%
化合物半导体功率放大器InP HBT高频电路功率组合
▸创新点1：80 GHz功率放大器性能记录 - 采用0.25μm InP HBT工艺实现创纪录的80 GHz功率放大器性能，单级和两级2:1组合器分别达到100 mW和200 mW输出功率，功率附加效率(PAE)超过30%，展示了高频高功率应用的突破性进展。
▸创新点2：新型串联功率组合方法 - 提出一种创新的串联连接功率组合技术，有效吸收器件寄生参数并实现低插入损耗，为高频功率放大器的设计提供了新的架构思路，显著提升了系统整体效率。
▸创新点3：低插入损耗寄生参数吸收 - 通过优化电路设计，实现了对器件寄生参数的高效吸收，同时保持极低的插入损耗，这一技术解决了高频电路中常见的寄生效应问题，为毫米波集成电路设计提供了重要解决方案。
▸创新点4：高效率功率-DAC架构 - 采用45nm CMOS SOI工艺实现的高数据率2×2 IQ发射器，利用创新的功率-DAC架构，可构建可扩展阵列，演示了44 Gbps的操作速度，输出功率达12 dBm，整体能效低于7.5 pJ/b，为高速无线通信系统提供了新设计范例。
Abstract
AL OF SOLID-STATE
CIRCUITS presents highlights from the 2013 Compound
Integrated Circuits Symposiu m (CSICS) held in Monterey, CA,
USA, on October 13–16, 2013. This was the 35th anniversary
of CSICS and the conference continues to serve as a focal point
for compound semiconductor integrated circuits and devices,
embracing advances in device technology and circuit appli-
cations related to GaAs, InP , GaN, SiGe, and more recently
CMOS and 2-D crystal device technology. The future of com-
pound se