JSSC 2015第1期MemoryDRAM

A 12 V 8 Gb 8-Channel 128 GBs High-Bandwidth Memory HBM Stacked DRAM With Effect

12V 8Gb 8通道128GB/s高带宽HBM堆叠DRAM，采用TSV阵列和微凸点接口技术。

8Gb, 8通道, 128GB/s, 1.2V

高带宽内存堆叠DRAMTSV阵列微凸点接口芯片晶圆工艺

▸创新点1：堆叠内存结构及TSV阵列（系统创新）。通过采用TSV（Through-Silicon Via）技术实现多层DRAM芯片的垂直堆叠，显著提升了内存密度和带宽，每片内存具有独立的带宽，支持高带宽数据传输。

▸创新点2：半独立行列命令接口（电路创新）。设计了半独立的行和列命令接口，优化了内存访问效率，增强了系统的有效性能，特别是在高并发访问场景下表现优异。

▸创新点3：微凸点测试方法（方法创新）。开发了针对高密度微凸点接口的测试方法，确保了接口的可靠性和信号完整性，支持高频测试和芯片验证，为大规模生产提供了保障。

▸创新点4：芯片晶圆工艺及高频测试（工艺创新）。采用芯片晶圆（Chip-on-Wafer）工艺制造8 Gb堆叠HBM，并通过高频晶圆探针测试验证了128 GB/s的高带宽性能，展示了工艺的成熟性和可靠性。

Abstract

Motivated by a graphics memory syst em that achieves multiplied bandwidth by the number of memories per system, HBM DRAM adopts a brand new architecture, with many technical changes and challenges. Th e ﬁr s tm a i nc h a n g ei nt h ea r - chitecture is the stacked memory structure with TSV array, which has independent bandwidth per s lice. The second is semi-indepen- dent row, column command interface , which enhances effective performance. For supporting high bandwidth, this chip has ﬁne pitc