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JSSC 2015第1期Clocking & PLLs22nmDRAM

Haswell A Family of IA 22 nm Processors Nasser Kurd Senior Member IEEE Muntaqu

介绍第四代Intel Core处理器家族Haswell，采用22nm技术，支持多种设备形态，提升性能和能效。
22nm, 102 GB/sec L4 eDRAM, 50%电池寿命延长
Haswell22nmeDRAMFMA功耗优化
▸创新点1：102 GB/sec L4 eDRAM缓存 - 采用22 nm工艺实现的L4缓存，提供102 GB/s的超高带宽，显著提升数据密集型应用的性能，属于存储器子系统创新。
▸创新点2：硬件支持事务同步 - 通过专用硬件电路实现事务内存同步，降低多线程编程复杂度并提升并行效率，属于处理器架构创新。
▸创新点3：新的FMA指令集 - 引入融合乘加(FMA)指令，每个时钟周期可执行双倍浮点运算，提升科学计算和图形处理的吞吐量，属于指令集架构创新。
▸创新点4：全集成电压调节器 - 采用集成式电压调节技术，结合新型低功耗状态设计，实现50%电池续航提升和95%待机功耗节省，属于电源管理电路创新。
Abstract
We describe the 4th Generation Intel® Core™ processor family (cod enamed “Haswell”) implemented on Intel® 22 nm technology and intended to support form factors from desk- tops to fan-less Ultrabooks™. Per formance enhancements include a 102 GB/sec L4 eDRAM cache, hardware support for transac- tional synchronization, and new FMA instructions that double FP operations per clock. Power improvements include Fully-In- tegrated Voltage Regulators ( 50% battery life extension), new low-power states (95