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JSSC 2016第1期Memory14nmDRAM

A 14 nm 11 Mb Embedded DRAM Macro With 1 ns Access

14纳米工艺下11Mb嵌入式DRAM宏，实现1纳秒访问速度。
14nm, 11Mb, 1ns access
14纳米嵌入式DRAM11Mb1纳秒工艺节点
▸创新点1：采用14纳米工艺技术，实现了高密度集成和低功耗特性，显著提升了嵌入式DRAM的能效比，适用于高性能计算场景。
▸创新点2：通过创新的存储单元设计和布局优化，实现了11Mb的大容量存储，在有限芯片面积内提供了更高的存储密度。
▸创新点3：采用高速访问电路设计，包括低延迟信号路径和快速感应放大器，实现了1纳秒的超快访问速度，满足了实时数据处理需求。
▸创新点4：结合系统级电源管理技术，动态调整电压和频率，进一步降低了整体功耗，同时保持了高性能访问能力。