← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2016第2期Memory28nmSRAM
A 28 nm 2 Mbit 6 T SRAM With Highly Configurable Low Voltage Write Ability Assi
28纳米工艺下2Mbit 6T SRAM设计，具备可配置低压写入能力
28nm CMOS, 2Mbit, 6T SRAM
SRAM28纳米低压写入6T单元可配置性
▸创新点1：高度可配置的低压写入能力 - 通过创新的写入辅助电路设计，实现了在低电压（如0.6V）下的稳定写入操作，解决了传统SRAM在低压下写入能力不足的问题，同时提供了多级可配置的写入辅助强度以适应不同应用场景的需求。
▸创新点2：28纳米工艺优化 - 针对28纳米工艺节点的特性，优化了SRAM单元的布局和晶体管尺寸，显著提高了存储密度和能效比，同时保持了良好的工艺兼容性和良率，适用于大规模量产。
▸创新点3：6T SRAM单元设计 - 采用改进的6晶体管SRAM单元结构，通过创新的晶体管匹配和时序控制技术，提高了单元的静态噪声容限（SNM）和动态稳定性，特别适用于高频和低功耗应用。
▸创新点4：可配置的写入辅助电路 - 设计了灵活可调的写入辅助电路，支持动态调整写入电流和电压，以适应不同的工作条件和性能需求，显著提升了SRAM的可靠性和能效比。