← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2016第4期Memory28nmSRAM
A 28 nm Configurable Memory TCAMBCAMSRAM Using Push Rule 6T Bit Cell Enabling L
28纳米工艺下采用Push Rule 6T位单元的可配置存储器TCAM/BCAM/SRAM设计
28nm CMOS, 具体电压及速度未提及
可配置存储器TCAMBCAMSRAM6T位单元
▸Push Rule 6T位单元设计
▸可配置TCAM/BCAM/SRAM功能
▸28纳米低功耗工艺应用