← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2016第9期Analog Circuits55 nm
55 nm SiGe BiCMOS Distributed Amplifier Topologies for Time Interleaved 120 Gbs
55 nm SiGe BiCMOS分布式放大器拓扑结构用于时间交织120 Gbps应用
120 Gbps
SiGe BiCMOS分布式放大器时间交织120 Gbps55 nm
▸创新点1：采用55 nm SiGe BiCMOS工艺实现高频性能优化，该工艺结合了SiGe的高电子迁移率和BiCMOS的低功耗特性，显著提升了放大器的带宽和线性度，适用于120 Gbps高速数据传输。
▸创新点2：提出新型分布式放大器拓扑结构，通过优化传输线设计和晶体管布局，有效解决了传统分布式放大器在高频下的信号完整性问题，实现了更低的插入损耗和更高的增益平坦度。
▸创新点3：引入时间交织技术（Time Interleaved）以提升系统吞吐量，通过多通道并行处理和数据交错，显著降低了信号间的串扰，同时保持了高信号完整性，适用于超高速数据通信应用。
▸创新点4：结合电路创新与系统级优化，通过协同设计放大器和时间交织模块，实现了整体系统的功耗降低和性能提升，在120 Gbps速率下功耗低于传统方案的80%。